近日，晶盛機電6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備新品發(fā)布會圓滿落幕，標志著晶盛機電在第三代半導體領(lǐng)域取得重大突破。

晶盛機電6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備新品發(fā)布會現(xiàn)場

 在全球能源轉(zhuǎn)型和“雙碳”目標的背景下，新能源汽車、5G通信等新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，全球市場對碳化硅功率器件需求激增，碳化硅迎來它的“高光時刻”。碳化硅在新能源汽車市場滲透率快速上升，據(jù)Yole預測，到2025年，碳化硅器件復合年增長率將達到30%。以碳化硅為代表的第三代半導體被國家“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要列入重要發(fā)展方向。

6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備

在新品發(fā)布環(huán)節(jié)，晶盛機電外延設(shè)備研究所所長劉毅博士對“6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備”的核心設(shè)計理念、工藝性能等進行了詳細介紹，該產(chǎn)品歷時兩年的研發(fā)、測試與驗證，在外延產(chǎn)能、運營成本等方面已取得國際領(lǐng)先優(yōu)勢，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺產(chǎn)能增加70%，單片運營成本降幅可達30%以上，助力客戶創(chuàng)造極大價值，為推動我國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻晶盛力量。 

隨后，晶盛機電碳化硅事業(yè)部歐陽鵬根博士重點介紹了8英寸碳化硅襯底片。碳化硅器件具有耐高溫、耐高壓、轉(zhuǎn)化效率高等優(yōu)點，但高硬脆、低斷裂韌性對生產(chǎn)工藝有著極其苛刻的要求，大尺寸的碳化硅晶體制備一直是行業(yè)的“卡脖子”技術(shù)。公司經(jīng)過一年的研發(fā)，成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸N型碳化硅晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，為實現(xiàn)我國在第三代半導體材料領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控作出積極貢獻。 

晶盛機電董事長曹建偉博士表示，碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈從設(shè)備到工藝的創(chuàng)新，成本快速下降，產(chǎn)能快速擴張。晶盛機電持續(xù)以科技創(chuàng)新引領(lǐng)產(chǎn)品、工藝的迭代和突破，在先進制程及功率器件半導體裝備領(lǐng)域，解決“卡脖子”難題，實現(xiàn)進口替代，助力我國加快向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。